На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) спецы из Массачусетского технологического института поведали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии большой сборки.

Изделие, сделанное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024×1024 пикселей (1 Мп). Исследователи говорят, что такие изделия можно соединять воединыжды в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей внедрения названо, а именно, разведывательное оборудование и охранные системы.

Большая структура датчика сформирована из 7 слоев, связанных меж собой межслойными связями. Фактически, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все другие составляющие, разработчики смогли обеспечить коэффициент наполнения полезной площади до 100%. Во 2-м слое находятся цепи подборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся 5 «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик обустроен шиной I2C и 2-мя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.

Источник: EE Times

Отзывов нет

No comments yet.

RSS-лента комментариев.

К сожалению, по вашему запросу ничего не найдено.